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    GBT 11072-1989 锑化铟多晶、单晶及切割片
    锑化铟多晶单晶切割片半导体材料
    15 浏览2025-06-09 更新pdf0.43MB 未评分
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    摘要:本文件规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于锑化铟多晶、单晶及切割片的生产、检验和验收,主要用于红外探测器和其他半导体器件领域。
    Title:Indium Antimonide Polycrystal, Single Crystal and Slices
    中国标准分类号:H52
    国际标准分类号:29.045

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    GBT 11072-1989 锑化铟多晶、单晶及切割片
  • 拓展解读

    关于GBT 11072-1989 锑化铟多晶、单晶及切割片的常见问题解答

    什么是GBT 11072-1989标准?

    GBT 11072-1989是中国国家标准化管理委员会发布的一项国家标准,主要用于规范锑化铟(InSb)材料的多晶、单晶及其切割片的技术要求、检测方法和质量评定标准。

    锑化铟材料的主要用途是什么?

    锑化铟是一种重要的半导体材料,广泛应用于红外探测器、光电传感器、热成像设备等领域。其高灵敏度和良好的光电性能使其成为红外技术的关键材料。

    GBT 11072-1989中对锑化铟多晶和单晶的质量要求有哪些?

    • 纯度:锑化铟材料的纯度需达到一定标准,通常杂质含量不得超过规定限值。
    • 晶体结构:单晶材料需具有完整的晶体结构,无明显缺陷或裂纹。
    • 电阻率:根据应用需求,电阻率需满足特定范围。
    • 表面质量:切割片的表面需光滑平整,无划痕或污染。

    如何判断锑化铟材料是多晶还是单晶?

    可以通过X射线衍射(XRD)分析来判断。如果衍射图谱显示单一峰,则为单晶;若出现多个峰,则为多晶。

    GBT 11072-1989中对切割片的尺寸公差有何要求?

    • 厚度公差:±0.1mm。
    • 平面度:≤5μm。
    • 平行度:≤10μm。
    • 边缘倒角:一般为0.2mm~0.5mm。

    锑化铟材料在存储和运输过程中需要注意什么?

    • 避免接触空气中的水分和氧气,建议密封包装。
    • 防止机械损伤,避免剧烈震动或撞击。
    • 存储温度应控制在适宜范围内,通常为室温或低温环境。

    GBT 11072-1989是否适用于所有类型的锑化铟产品?

    该标准主要适用于工业生产的锑化铟多晶、单晶及切割片,但不包括实验室研究用的小规模样品。对于特殊用途的产品,可能需要额外的技术指标。

    如何进行锑化铟材料的电学性能测试?

    • 使用四探针法测量电阻率。
    • 通过霍尔效应测试载流子浓度和迁移率。

    GBT 11072-1989是否已被更新或替代?

    截至当前信息,GBT 11072-1989尚未被正式废止或替代。但在实际应用中,建议查阅最新版本或相关补充文件以获取更准确的信息。

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