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摘要:本文件规定了硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定方法——电感耦合等离子体发射光谱法。本文件适用于硅材料用高纯石墨制品中多种金属元素杂质含量的测定。
Title:Determination of Impurity Content in High-Purity Graphite Products for Silicon Materials by Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectroscopy
中国标准分类号:H61
国际标准分类号:71.040.50
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拓展解读
YBT 4590-2017 是一项关于硅材料用高纯石墨制品中杂质含量测定的标准,其核心在于通过电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)对高纯石墨制品中的杂质元素进行精确分析。这项标准为高纯石墨制品的质量控制提供了科学依据,确保其在半导体、光伏等领域应用的安全性和可靠性。
ICP-OES 是一种先进的分析技术,它利用高频感应产生的等离子体作为激发源,将样品原子化并激发至高能态,从而通过发射光谱来检测元素的种类和含量。这种方法具有灵敏度高、线性范围宽、多元素同时检测等显著优点。在高纯石墨制品的杂质分析中,ICP-OES 能够快速、准确地识别出如铝、铁、铜等常见杂质元素。
高纯石墨制品广泛应用于半导体、光伏、核工业等领域。这些领域的特殊要求使得对石墨制品的纯度提出了极高的标准。例如,在半导体制造中,石墨制品作为热场材料,其杂质含量直接影响芯片的良品率;在光伏行业,高纯石墨用于坩埚制造,其性能直接关系到太阳能电池片的质量。
某光伏企业曾因石墨坩埚中杂质超标导致硅锭品质下降,造成经济损失数百万元。通过采用 YBT 4590-2017 标准,企业引入 ICP-OES 技术对石墨制品进行定期检测,成功将主要杂质元素的含量控制在百万分之一以下,显著提升了产品质量和市场竞争力。数据显示,实施该标准后,企业的硅锭合格率从85%提升至98%,经济效益大幅提升。
YBT 4590-2017 标准结合了 ICP-OES 的先进技术和高纯石墨制品的实际需求,为相关行业的质量控制提供了可靠的技术支持。通过严格的杂质检测,不仅可以保障产品的性能,还能有效降低生产风险,提高经济效益。未来,随着技术的不断进步,这一标准将在更多领域发挥重要作用。