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摘要:本文件规定了用红外吸收测试方法测定半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的原理、仪器设备、样品制备、测试步骤及数据处理。本文件适用于半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的测定,波长范围为2.3 μm至2.8 μm。
Title:Test Method for Carbon Concentration in Semi-insulating Gallium Arsenide Single Crystals by Infrared Absorption
中国标准分类号:H43
国际标准分类号:49.025.20
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拓展解读
GBT 19199-2015是中国国家标准,规定了通过红外吸收法测定半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的方法。砷化镓(GaAs)作为一种重要的半导体材料,在微电子和光电子领域有着广泛应用。而碳浓度是影响砷化镓晶体性能的重要参数之一,因此准确测量其含量具有重要意义。
该标准所采用的红外吸收法基于碳原子在特定波长下的特征吸收特性。当光线穿过含有碳原子的样品时,碳原子会吸收特定波长的红外光,通过检测吸收强度的变化,可以定量分析碳的浓度。这种方法具有高灵敏度、快速响应等优点,能够满足现代半导体工业对精确测量的需求。
在实际生产中,GBT 19199-2015的应用非常广泛。例如,在某知名半导体制造企业中,通过此方法成功将碳浓度控制在1×10¹⁵ cm⁻³以下,显著提升了器件的可靠性。然而,该方法也面临一些挑战,如样品表面反射率的变化可能影响测试准确性,需要通过多次校准来优化。
除了红外吸收法外,还有其他几种测定碳浓度的技术,如二次离子质谱(SIMS)和热电离质谱(TIMS)。与这些方法相比,红外吸收法的优势在于操作简便、成本较低,适合大规模生产中的常规检测。但其灵敏度相对较低,对于极低浓度的碳检测可能存在一定局限性。
随着半导体技术的进步,对碳浓度检测的要求越来越高。未来的研究方向包括开发更高灵敏度的红外传感器、改进样品预处理工艺以及建立更完善的数据库支持。这些努力将进一步推动GBT 19199-2015标准的实际应用范围。