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摘要:本文件规定了再生光阻剥离液的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于湿电子化学品领域中使用的再生光阻剥离液,主要用于半导体制造过程中光阻的去除。
Title:Wet Electronic Chemicals - Regenerated Photoresist Stripper
中国标准分类号:G76
国际标准分类号:25.060
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拓展解读
湿电子化学品再生光阻剥离液在半导体制造过程中起着至关重要的作用。新版TFJAS 006-2024相较于旧版,在技术要求和检测方法上进行了多项改进。本文将聚焦于新旧版本中“金属离子含量”这一指标的变化,并详细解读其应用方法。
在旧版标准中,对于金属离子含量的规定较为笼统,仅提出一般性要求。而在新版标准中,具体明确了铜、铁、铝等常见金属离子的最大允许浓度,同时增加了检测频率的要求。这种变化旨在更精确地控制产品品质,防止因金属离子污染导致的半导体器件性能下降。
例如,根据新版标准,铜离子的最大允许浓度为10ppb。这意味着生产厂家需采用更为敏感的分析仪器,如电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS),以确保测量结果的准确性。在实际操作中,样品制备环节尤为重要,需要严格控制酸碱度及温度条件,避免引入额外杂质。
此外,为了保证数据可靠性,企业应建立完善的质量管理体系,定期校准设备并培训技术人员。通过这些措施,可以有效提升产品的稳定性和一致性,满足现代半导体工业对高纯度材料的需求。