现行 SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-电子
CCS分类： H83冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料
ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料
研制信息

归口单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位： 信息产业专用材料质量监督检验中心、 工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、 天津中环领先材料技术有限公司

起草人： 章安辉、 何秀坤、 刘兵、 李翔、 付雪涛

标准简介

本标准规定了低位错密度砷化镓（GaAs）抛光片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法

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最后更新时间 2025-09-02