现行 YS/T 23-2016
硅外延层厚度测定　堆垛层错尺寸法 硅外延层厚度测定　堆垛层错尺寸法 Test method for thickness of epitaxial layers—Stacking fault size
发布日期：2016-04-05
实施日期：2016-09-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 行业标准-有色金属
CCS分类： H21冶金 - 金属理化性能试验方法 - 金属物理性能试验方法
ICS分类： 77.040冶金 - 金属材料试验
研制信息

归口单位： 全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)

起草单位： 南京国盛电子有限公司、 有研半导体材料有限公司、 上海晶盟硅材料有限公司

起草人： 马林宝、 杨帆、 葛华、 刘小青、 孙燕、 徐新华

标准简介

本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。本标准适用于在、和晶向的硅单晶衬底上生长的2μm～120μm硅外延层厚度的测量

相似标准/计划/法规
堆垛外延测定厚度尺寸

最后更新时间 2025-09-02