外延钉缺陷的检验方法
Test methods for spike of epitaxial layers
2016-04-05
IEC 63068-2-2019
Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection
半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第2部分:光学检验缺陷的试验方法
2019-01-30
GB/T 4058-2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
2009-10-30
KS C IEC 63068-3
반도체 소자 — 전력 소자용 탄화규소 호모에피택셜 웨이퍼의 결함에 대한 비파괴 인식 기준 — 제3부: 광발광을 사용한 결함 검사 방법
半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第3部分:用光致发光法检测缺陷的试验方法
2025-01-31
IEC 63068-3-2020
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence
半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第3部分:用光致发光法检测缺陷的试验方法
2020-07-13
KS C IEC 63068-2
반도체 소자 — 전력 소자용 탄화규소 호모에피택셜 웨이퍼의 결함에 대한 비파괴 인식 기준 — 제2부: 광학 검사를 사용한 결함 검사 방법
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延晶片缺陷的无损识别准则 第2部分:用光学检查法检测缺陷的试验方法