作废 SJ 1551-1979
硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行) 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行) Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional)
发布日期:1980-03-01
实施日期:1980-06-01
分类信息
发布单位或类别: 中国 行业标准-电子
CCS分类: H81冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属
ICS分类:
标准简介
相似标准/计划/法规
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
2009-10-30
外延电容电压测试方法

最后更新时间 2025-08-27