作废 GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
发布日期：2013-12-31
实施日期：2014-08-15
分类信息
发布单位或类别： 中国 国家标准
CCS分类： H80冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属与半导体材料综合
ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料
研制信息

归口单位： 工业和信息化部（电子）(339-1)

起草单位： 信息产业部专用材料质量监督检验中心、 中国电子科技集团公司第四十六研究所、 中国电子技术标准化研究院

起草人： 何秀坤、 董颜辉、 周智慧、 段曙光

标准简介

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量

相似标准/计划/法规
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最后更新时间 2025-09-06