T/CIE 126-2021 标准详情
T/CIE 126-2021
现行
磁随机存储芯片测试方法
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标准状态
标准信息
主要技术内容
本标准给出了磁随机存储(Magnetic Random-Access Memory; MRAM)芯片测试方法的术语、测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。本标准适用于磁随机存储芯片测试和磁随机存储芯片关键性能（可靠性和电学参数等）验证。
起草单位
北京航空航天大学、北京智芯微电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、上海佑磁信息科技有限公司、北京时代民芯科技有限公司、致真存储（北京）科技有限公司、深圳亘存科技有限责任公司、中国电子技术标准化研究院
起草人
赵巍胜、彭守仲、李月婷、曹凯华、王昭昊、聂天晓、史可文、王佑、邓尔雅、陈燕宁、付振、潘成、刘芳、赵桂林、帅喆、孙杰杰、王超、卢辉、王亮、陆时进、李鑫云、曹安妮、王戈飞、刘宏喜、郭玮、何帆、菅端端、南江
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