基于壳温信息的功率器件可靠性分析
功率器件
壳温监测
可靠性分析

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基于杂散电感分析的MOSFET模块布局结构设计的研究
MOSFET模块
杂散电感
布局结构设计

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1200V碳化硅MOSFET与硅IGBT器件特性对比性研究
碳化硅MOSFET
硅IGBT
器件特性

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SiCMOSFET和SiIGBT的结温特性及结温监测方法研究
SiC MOSFET
Si IGBT
结温特性

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大功率TLP在功率器件电学闩锁测试中的应用
大功率TLP
电学闩锁
功率器件

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真空电子功率器件用AlN陶瓷输出窗
AlN陶瓷
真空电子器件
功率器件

3 浏览量2025-07-17上传pdf1.55MB共4页暂未评分

SJT 11865-2022 功率器件用Φ150 mm n型碳化硅衬底
碳化硅衬底
功率器件
Φ150mm

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半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 GBT 43493.1-2023
半导体器件
功率器件
碳化硅

12 浏览量2025-06-06上传pdf6.65MB暂未评分

半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法 GBT 43493.2-2023
半导体器件
功率器件
碳化硅

14 浏览量2025-06-06上传pdf3.38MB暂未评分

半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法 GBT 43493.3-2023
碳化硅外延片
功率器件
光致发光

9 浏览量2025-06-06上传pdf1.53MB暂未评分