TNXCL 29-2024 300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片

TNXCL 29-2024标准中关于低氧含量直拉硅单晶抛光片的规定相较于旧版有诸多改进，其中对“低氧含量”的具体要求和检测方法的变化尤为值得关注。新版标准将低氧含量从原来的10ppma提升至15ppma，并新增了热处理前后的对比测试要求。这一改动直接影响到产品的质量控制和生产工艺。

以热处理前后氧浓度变化为例，来详细解读其应用方法。首先，在生产过程中，需要确保原始材料即为低氧含量的直拉硅单晶。然后按照标准规定的条件进行热处理，通常是在1000°C左右的高温环境下保持一定时间。处理后，通过红外吸收光谱法精确测量硅片中的氧含量。如果发现热处理后氧浓度显著上升，则表明可能存在材料内部缺陷或者掺杂不均匀的问题。企业应当据此调整原材料选择标准，优化生长工艺参数，如控制晶体生长速率、提高熔体纯净度等措施，以满足新的技术指标要求。这样不仅能够提升产品质量稳定性，还能有效降低后期加工成本。