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摘要:本文件规定了硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片的术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以硅衬底为基材的小功率蓝光发光二极管芯片的设计、生产和检测。
Title:Detailed Specification for Silicon Substrate Blue Low-power Light Emitting Diode Chips
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:31.040
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拓展解读
优先级:高
SJ/T 11867-2022是针对硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片的技术规范,旨在统一产品性能指标、测试方法及质量要求,以促进LED产业标准化发展。
该标准主要适用于硅衬底蓝光小功率LED芯片的设计、制造、检测和应用,广泛应用于消费电子、照明设备、背光源等领域。
硅衬底具有成本低、散热性能好、易于大规模生产等优点,但其光学性能可能略逊于传统衬底(如蓝宝石)。SJT 11867-2022对硅衬底的光学特性和热管理提出了具体要求。
根据SJT 11867-2022,蓝光波长范围为450nm至470nm,允许偏差±10nm。此范围确保了LED芯片在可见光谱中的有效发光。
需通过专业设备测量芯片的光通量、正向电压、反向电流等参数,并与标准中的技术指标进行对比。此外,还需检查芯片的外观尺寸和可靠性测试结果。
优先级:中
SJ/T 11867-2022属于推荐性行业标准,不具有强制性,但在实际应用中,许多企业会主动采用以提升产品质量和市场竞争力。
小功率LED芯片通常指额定工作电流小于100mA的芯片,这类芯片适合用于低功耗场景,如指示灯、信号灯等。
根据SJT 11867-2022的要求,驱动电路需匹配芯片的正向电压和最大工作电流,同时具备过流保护功能,以确保芯片安全运行。
寿命测试需在额定工作条件下进行,测试时间不少于500小时。测试结束后,芯片的光衰减率不得超过初始值的5%。
优先级:低
目前行业内还有其他相关标准(如IES LM-80),但它们的应用场景和侧重点有所不同。SJT 11867-2022更专注于硅衬底蓝光小功率LED芯片。
可以通过中国国家标准化管理委员会网站或相关行业协会购买标准文件。部分高校或研究机构也可能提供免费查阅服务。
建议企业根据标准要求改进生产工艺或调整设计参数,必要时可寻求第三方检测机构的帮助,确保产品达到标准要求。