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摘要:本文件规定了硅外延层电阻率的面接触三探针测试方法的原理、设备要求、样品制备、测试步骤和数据处理。本文件适用于半导体材料中硅外延层电阻率的测量。
Title:Test Method for Sheet Resistance of Silicon Epitaxial Layer by Three-point Probe with Surface Contact
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
什么是SJT 10481-1994标准?
SJT 10481-1994是中国国家标准,用于规定硅外延层电阻率的面接触三探针测试方法。该标准提供了一种精确测量硅外延层电阻率的技术规范,适用于半导体器件制造和质量控制。
为什么需要使用三探针测试方法?
三探针测试方法是一种常用的半导体材料电阻率测量技术,能够有效消除接触电阻的影响,提高测量精度。与两探针法相比,三探针法通过引入额外的参考探针,可以更准确地反映被测材料的真实电阻特性。
如何正确设置三探针测试设备?
三探针测试中常见的误差来源有哪些?
如何判断测试结果是否可靠?
测试结果的可靠性可以通过以下步骤验证:
三探针测试方法适用于哪些类型的硅外延层?
三探针测试方法主要适用于以下类型的硅外延层:
对于非均匀掺杂或表面粗糙度较高的样品,可能需要特殊处理或采用其他测试方法。
如何校准三探针测试仪?
校准步骤如下:
如果测试结果显示异常,应该怎么办?
当测试结果显示异常时,建议采取以下措施:
三探针测试方法的优点是什么?
三探针测试方法的主要优点包括:
如何选择合适的测试条件?
选择测试条件时需考虑以下因素:
根据具体应用场景,合理设置测试参数以获得最佳结果。