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  • SJ 2699-1986 3DG388型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范

    SJ 2699-1986 3DG388型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
    晶体管硅高频低噪声小功率NPN
    15 浏览2025-06-07 更新pdf0.54MB 未评分
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    摘要:本文件规定了3DG388型NPN硅高频低噪声小功率晶体管的技术要求、测试方法及质量评定程序。本文件适用于3DG388型NPN硅高频低噪声小功率晶体管的设计、生产和验收。
    Title:Specification for 3DG388 Type NPN Silicon High Frequency Low Noise Small Power Transistor
    中国标准分类号:M42
    国际标准分类号:31.080.20

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    SJ 2699-1986 3DG388型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
  • 拓展解读

    3DG388型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范

    以下是根据SJ 2699-1986标准对3DG388型NPN硅高频低噪声小功率晶体管的详细规范总结:

    主要内容

    • 基本参数:
      • 工作频率范围:高达500MHz。
      • 最大集电极电流:100mA。
      • 最大耗散功率:300mW。
      • 电压范围:集电极-发射极电压为20V。
    • 性能特点:
      • 低噪声系数,适合高频应用。
      • 高增益带宽积,适用于信号放大。
      • 良好的热稳定性。
    • 应用场景:
      • 用于通信设备中的信号放大。
      • 适合音频和射频电路。

    与老版本的变化

    • 增加了更高的工作频率支持(从400MHz提升到500MHz)。
    • 改进了热稳定性设计。
    • 优化了低噪声性能,更适合高精度应用。
    • 更新了材料工艺,提升了整体可靠性。
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