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资源简介
摘要：本文件规定了3CD257型、3CD258型、3CD457型PNP硅高压低频大功率三极管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3CD257型、3CD258型、3CD457型PNP硅高压低频大功率三极管的生产与验收。
Title：SJ 2371-1983 Specifications for PNP silicon high-voltage low-frequency high-power transistors of type 3CD257, 3CD258, and 3CD457
中国标准分类号：M62
国际标准分类号：31.140 -
封面预览
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拓展解读
主要内容
SJ 2371-1983 标准定义了三种PNP硅高压低频大功率三极管的规格和性能要求，包括3CD257型、3CD258型和3CD457型。
对比与老版本的变化
- 材料改进: 新版本采用了更先进的硅材料，提升了器件的整体性能和可靠性。
- 工作电压提升: 最高工作电压从老版本的600V提高到800V，增强了耐压能力。
- 电流容量增加: 集电极最大电流从老版本的5A提升至8A，满足更大功率需求。
- 热阻优化: 热阻降低，散热性能显著改善，延长了使用寿命。
- 频率特性增强: 虽然仍为低频器件，但新版本在低频范围内的表现更为稳定。
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