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摘要:本文件规定了PIN光电二极管和雪崩光电二极管反向击穿电压的测试方法,包括测试条件、测试设备及测量步骤。本文件适用于半导体光电二极管的性能评估与质量检测。
Title:Test Method for Reverse Breakdown Voltage of PIN and Avalanche Photodiodes
中国标准分类号:M63
国际标准分类号:31.140
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拓展解读
SJ 2354.2-1983《PIN、雪崩光电二极管反向击穿电压的测试方法》主要规定了如何测量PIN和雪崩光电二极管的反向击穿电压。标准详细描述了测试环境、设备要求以及具体的测试步骤,确保测试结果的准确性和可重复性。
相比老版本,SJ 2354.2-1983在以下几个方面进行了改进: