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  • SJ 2354.2-1983 PIN、雪崩光电二极管反向击穿电压的测试方法

    SJ 2354.2-1983 PIN、雪崩光电二极管反向击穿电压的测试方法
    PIN光电二极管雪崩光电二极管反向击穿电压测试方法半导体器件
    12 浏览2025-06-07 更新pdf0.04MB 未评分
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    摘要:本文件规定了PIN光电二极管和雪崩光电二极管反向击穿电压的测试方法,包括测试条件、测试设备及测量步骤。本文件适用于半导体光电二极管的性能评估与质量检测。
    Title:Test Method for Reverse Breakdown Voltage of PIN and Avalanche Photodiodes
    中国标准分类号:M63
    国际标准分类号:31.140

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    SJ 2354.2-1983 PIN、雪崩光电二极管反向击穿电压的测试方法
  • 拓展解读

    主要内容总结

    SJ 2354.2-1983《PIN、雪崩光电二极管反向击穿电压的测试方法》主要规定了如何测量PIN和雪崩光电二极管的反向击穿电压。标准详细描述了测试环境、设备要求以及具体的测试步骤,确保测试结果的准确性和可重复性。

    • 测试环境:要求在恒温条件下进行测试,以减少温度变化对测试结果的影响。
    • 设备要求:需要使用高精度的电压源和电流表,确保能够精确控制和测量电压。
    • 测试步骤:逐步增加反向电压,记录击穿时的电压值,并进行多次测试以验证结果的一致性。

    与老版本的变化对比

    相比老版本,SJ 2354.2-1983在以下几个方面进行了改进:

    • 更严格的环境控制:增加了对测试环境湿度的要求,以提高测试数据的可靠性。
    • 更高的设备精度:更新了对测试设备的技术指标,要求使用更高精度的仪器。
    • 优化的测试流程:简化了部分测试步骤,提高了测试效率,同时保持了结果的准确性。
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