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    SJ 2354.4-1983 PIN、雪崩光电二极管正向压降的测试方法
    PIN雪崩光电二极管正向压降测试方法半导体
    17 浏览2025-06-07 更新pdf0.04MB 未评分
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  • 资源简介

    摘要:本文件规定了PIN、雪崩光电二极管正向压降的测试方法及条件。本文件适用于PIN、雪崩光电二极管的性能评估与质量检测。
    Title:Test Method for Forward Voltage Drop of PIN and Avalanche Photodiodes
    中国标准分类号:M72
    国际标准分类号:31.080.01

  • 封面预览

    SJ 2354.4-1983 PIN、雪崩光电二极管正向压降的测试方法
  • 拓展解读

    主要内容总结

    SJ 2354.4-1983《PIN、雪崩光电二极管正向压降的测试方法》规定了用于测量PIN和雪崩光电二极管正向压降的具体方法和技术要求。该标准适用于半导体器件的生产和质量控制,确保测试结果的一致性和准确性。

    • 测试条件: 明确了测试时的环境条件,如温度、湿度等。
    • 测试设备: 规定了所需使用的仪器设备及其精度要求。
    • 测试步骤: 提供了详细的测试操作流程,包括接线方式、参数设置等。
    • 数据处理: 对测试数据的记录和计算方法进行了规范。

    与老版本的变化对比

    相比老版本,SJ 2354.4-1983在以下几个方面进行了改进和优化:

    • 测试精度提升: 引入了更高精度的测试设备要求,以减少测量误差。
    • 环境适应性增强: 扩展了适用的环境范围,增加了极端条件下的测试指导。
    • 操作简化: 对测试步骤进行了优化,使操作更加简便高效。
    • 数据记录标准化: 统一了数据记录格式,便于后续分析和比较。
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