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资源简介
摘要：本文件规定了雪崩光电二极管反向击穿电压温度系数的测试方法，包括测试条件、设备要求和数据处理步骤。本文件适用于雪崩光电二极管的性能评估与质量控制。
Title：Test Method for Temperature Coefficient of Reverse Breakdown Voltage of Avalanche Photodiodes
中国标准分类号：L72
国际标准分类号：31.080 -
封面预览
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拓展解读
主要内容
SJ 2354.12-1983《雪崩光电二极管反向击穿电压温度系数的测试方法》规定了用于测量雪崩光电二极管在不同温度条件下反向击穿电压温度系数的具体步骤和要求。
- 适用范围：适用于各种类型的雪崩光电二极管。
- 测试环境：需要控制温度的恒温箱或类似设备。
- 测试设备：包括高精度电压表、电流表以及能够提供稳定电压的电源。
- 测试步骤：逐步改变温度并记录对应的反向击穿电压值，计算温度系数。
与老版本的变化
与老版本相比，SJ 2354.12-1983在以下几个方面进行了更新和改进：
- 更精确的测量仪器：引入了更高精度的电压和电流测量设备，以提高数据准确性。
- 优化的测试流程：简化了部分测试步骤，减少了人为误差的可能性。
- 扩展的适用范围：增加了对新型雪崩光电二极管的支持，适应了技术发展的需求。
- 增强的安全措施：明确了操作过程中的安全注意事项，确保测试人员的安全。
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