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摘要:本文件规定了红外探测器用锑化铟单晶片的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于红外探测器用锑化铟单晶片的生产和验收。
Title:Specification for Indium Antimonide Single Crystal Wafers Used in Infrared Detectors
中国标准分类号:H23
国际标准分类号:47.065
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拓展解读
SJ 20640-1997 红外探测器用锑化铟单晶片规范是关于红外探测器材料的重要标准,以下是针对该主题的常见问题解答。
该标准主要用于规范红外探测器中使用的锑化铟(InSb)单晶片的技术要求和检测方法。它为生产厂商提供了统一的质量评估标准,同时也为用户提供了选择和验收产品的依据。
抗氧化性能确实是关键指标之一。锑化铟在高温或特定环境下容易发生氧化反应,从而影响其电学和光学性能。因此,标准中明确规定了抗氧化处理的要求和测试方法,以确保材料的长期稳定性。
电阻率直接影响锑化铟单晶片的电学性能。根据标准,电阻率的范围需满足特定要求,过高或过低都会导致探测器灵敏度下降。因此,在生产和检测过程中需要严格控制电阻率值。
判断方法包括以下几个步骤:
是的,抗辐射性能非常重要。锑化铟单晶片通常用于航天和军事领域,这些环境中可能面临强辐射环境。标准中对材料的抗辐射能力提出了明确要求,并规定了相应的测试方法。
晶体的生长方向决定了其物理和化学性质的各向异性。例如,某些方向上的热导率和电导率可能存在显著差异。因此,标准中明确规定了晶体的生长方向,并要求在产品说明中标注清楚。
机械损伤会严重影响单晶片的性能。为了避免损伤,建议采取以下措施:
标准中列出了多种检测方法,主要包括:
虽然其他材料(如碲镉汞HgCdTe)也可用于红外探测器,但锑化铟因其优异的性能(如高灵敏度和低温工作特性)仍然是首选材料。如果需要替代,必须经过严格的性能对比和测试。
为了延长使用寿命,建议将单晶片存放在干燥、无尘的环境中,并避免阳光直射。此外,应使用防静电包装材料,以防止静电对晶体造成损害。