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  • SJ 20640-1997 红外探测器用锑化铟单晶片规范

    SJ 20640-1997 红外探测器用锑化铟单晶片规范
    锑化铟单晶片红外探测器半导体材料晶体生长
    25 浏览2025-06-07 更新pdf0.45MB 未评分
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    摘要:本文件规定了红外探测器用锑化铟单晶片的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于红外探测器用锑化铟单晶片的生产和验收。
    Title:Specification for Indium Antimonide Single Crystal Wafers Used in Infrared Detectors
    中国标准分类号:H23
    国际标准分类号:47.065

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    SJ 20640-1997 红外探测器用锑化铟单晶片规范
  • 拓展解读

    常见问题解答 (FAQ)

    SJ 20640-1997 红外探测器用锑化铟单晶片规范是关于红外探测器材料的重要标准,以下是针对该主题的常见问题解答。

    1. SJ 20640-1997 标准的主要用途是什么?

    该标准主要用于规范红外探测器中使用的锑化铟(InSb)单晶片的技术要求和检测方法。它为生产厂商提供了统一的质量评估标准,同时也为用户提供了选择和验收产品的依据。

    2. 抗氧化性能是否是锑化铟单晶片的关键指标?

    抗氧化性能确实是关键指标之一。锑化铟在高温或特定环境下容易发生氧化反应,从而影响其电学和光学性能。因此,标准中明确规定了抗氧化处理的要求和测试方法,以确保材料的长期稳定性。

    3. 单晶片的电阻率如何影响其性能?

    电阻率直接影响锑化铟单晶片的电学性能。根据标准,电阻率的范围需满足特定要求,过高或过低都会导致探测器灵敏度下降。因此,在生产和检测过程中需要严格控制电阻率值。

    4. 如何判断锑化铟单晶片是否符合标准?

    判断方法包括以下几个步骤:

    • 检查晶体的尺寸和外观是否符合要求;
    • 测量电阻率和迁移率等电学参数;
    • 进行X射线衍射分析,验证晶体结构的完整性;
    • 通过光学显微镜观察表面缺陷。

    5. 抗辐射性能是否需要特别关注?

    是的,抗辐射性能非常重要。锑化铟单晶片通常用于航天和军事领域,这些环境中可能面临强辐射环境。标准中对材料的抗辐射能力提出了明确要求,并规定了相应的测试方法。

    6. 为什么标准中强调晶体的生长方向?

    晶体的生长方向决定了其物理和化学性质的各向异性。例如,某些方向上的热导率和电导率可能存在显著差异。因此,标准中明确规定了晶体的生长方向,并要求在产品说明中标注清楚。

    7. 如何避免锑化铟单晶片的机械损伤?

    机械损伤会严重影响单晶片的性能。为了避免损伤,建议采取以下措施:

    • 在加工和运输过程中使用专用工具;
    • 避免直接接触晶体表面;
    • 定期清洁晶体表面,防止灰尘附着。

    8. 标准中的检测方法有哪些?

    标准中列出了多种检测方法,主要包括:

    • 电阻率测量;
    • 迁移率测试;
    • X射线衍射分析;
    • 光学显微镜检测。

    9. 是否可以使用替代材料代替锑化铟?

    虽然其他材料(如碲镉汞HgCdTe)也可用于红外探测器,但锑化铟因其优异的性能(如高灵敏度和低温工作特性)仍然是首选材料。如果需要替代,必须经过严格的性能对比和测试。

    10. 如何正确储存锑化铟单晶片?

    为了延长使用寿命,建议将单晶片存放在干燥、无尘的环境中,并避免阳光直射。此外,应使用防静电包装材料,以防止静电对晶体造成损害。

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