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资源简介
摘要：本文件规定了CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管的术语和定义、分类与命名规则、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存要求。本文件适用于CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管的设计、生产和验收。
Title：Semiconductor Discrete Devices - CS146 Type Silicon N-Channel Depletion Mode Field Effect Transistor - Detailed Specifications
中国标准分类号：M23
国际标准分类号：31.080.01 -
封面预览
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拓展解读
概述
SJ 20061-1992 是关于 CS146 型硅 N 沟道耗尽型场效应晶体管的详细规范，以下是其主要内容以及与老版本的对比。
主要内容
- 基本参数：
- 工作电压范围：-5V 至 -15V
- 漏极电流：最大值为 1A
- 输入阻抗：高阻抗特性
- 性能指标：
- 开关速度：快速开关，适用于高频应用
- 温度范围：-55°C 至 +150°C
- 封装形式：
- 采用 TO-220 封装，便于散热
与老版本的变化
- 增加了更高的工作电压范围（从 -10V 提升至 -15V）。
- 提升了漏极电流的最大值（从 0.8A 提升至 1A）。
- 优化了开关速度，使其更适合高频应用场景。
- 扩展了温度范围，适应更广泛的环境条件。
- 基本参数：
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