• 首页
  • 查标准
  • 下载
  • 专题
  • 标签
  • 首页
  • 标准
  • 制造
  • SJ 20063-1992 半导体分立器件.3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管.详细规范

    SJ 20063-1992 半导体分立器件.3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管.详细规范
    半导体分立器件3DG213NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管详细规范电子元器件
    19 浏览2025-06-07 更新pdf0.3MB 未评分
    加入收藏
    立即下载
  • 资源简介

    摘要:本文件规定了3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管的术语、定义、技术要求、测试方法、检验规则及标志、包装、运输和储存条件。本文件适用于3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管的设计、生产和验收。
    Title:Semiconductor Discrete Devices - Specification for 3DG213 NPN Silicon Ultra High Frequency Low Noise Differential Pair Transistor
    中国标准分类号:M51
    国际标准分类号:31.080.01

  • 封面预览

    SJ 20063-1992 半导体分立器件.3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管.详细规范
  • 拓展解读

    常见问题解答 (FAQ)

    SJ 20063-1992 半导体分立器件.3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管.详细规范

    1. 什么是SJ 20063-1992标准?

    SJ 20063-1992是中国国家标准化管理委员会发布的一项国家标准,主要用于规范半导体分立器件的技术要求。其中,3DG213型NPN硅晶体管是该标准中的一种典型产品,具有超高频和低噪声的特点,广泛应用于高频电路设计。

    2. 3DG213晶体管的主要特点是什么?

    3DG213是一种NPN硅材料的超高频低噪声双差分对晶体管,其主要特点包括:

    • 工作频率范围宽,适合高频应用。
    • 低噪声系数,适用于对信号失真要求高的场景。
    • 双差分对结构,能够提供更好的对称性和稳定性。
    • 高增益带宽积,适合高速信号处理。

    3. 3DG213晶体管的典型应用场景有哪些?

    3DG213晶体管因其优异的性能,常用于以下场景:

    • 无线通信设备中的射频前端放大器。
    • 高速数据传输系统中的信号调理电路。
    • 音频处理设备中的前置放大器。
    • 雷达和卫星通信系统中的低噪声放大器。

    4. 如何正确选择3DG213晶体管的封装类型?

    3DG213晶体管通常采用TO-18或TO-92等小型封装形式,选择时需根据具体应用需求考虑以下因素:

    • 散热需求:如果功耗较高,建议选择带有金属外壳的TO-18封装。
    • 安装空间:对于空间受限的设计,TO-92封装更为紧凑。
    • 环境适应性:需要考虑温度范围和湿度条件。

    5. 3DG213晶体管的工作电压和电流限制是多少?

    根据SJ 20063-1992标准,3DG213晶体管的主要电气参数如下:

    • 最大集电极-发射极电压(VCEO):30V。
    • 最大集电极电流(IC):200mA。
    • 最大功率耗散(PC):300mW。
    • 推荐工作电压范围:一般为5V至15V。

    在实际应用中,应确保工作参数不超过上述限值,以避免损坏晶体管。

    6. 如何判断3DG213晶体管是否符合SJ 20063-1992标准?

    要确认3DG213晶体管是否符合SJ 20063-1992标准,可以参考以下步骤:

    • 检查产品的型号标识是否为3DG213。
    • 核对产品的电气参数是否与标准中的规定一致。
    • 查看制造商提供的测试报告或认证文件。
    • 必要时可进行实验室测试验证。

    7. 使用3DG213晶体管时需要注意哪些事项?

    为了保证3DG213晶体管的正常工作和使用寿命,应注意以下几点:

    • 避免过压、过流操作。
    • 合理布局电路,减少寄生电感和电容的影响。
    • 注意散热设计,尤其是在高频工作条件下。
    • 定期检测晶体管的工作状态,及时更换失效器件。

    8. 3DG213晶体管是否有替代品?

    市场上存在一些与3DG213功能相近的晶体管替代品,例如:

    • 2SC2547(日本东芝公司生产)。
    • BFY51A(欧洲STMicroelectronics公司生产)。
    • 2N5401(美国Fairchild公司生产)。

    在选择替代品时,需仔细对比参数和封装兼容性。

  • 下载说明

    预览图若存在模糊、缺失、乱码、空白等现象,仅为图片呈现问题,不影响文档的下载及阅读体验。

    当文档总页数显著少于常规篇幅时,建议审慎下载。

    资源简介仅为单方陈述,其信息维度可能存在局限,供参考时需结合实际情况综合研判。

    如遇下载中断、文件损坏或链接失效,可提交错误报告,客服将予以及时处理。

  • 相关资源
    下一篇 SJ 20058-1992 半导体分立器件3DK105型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

    SJ 20062-1992 半导体分立器件.3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管.详细规范

    SJ 20061-1992 半导体分立器件.CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范

    SJ 20064-1992 半导体分立器件.QL71型硅单相桥式整流器.详细规范

    SJ 20065-1992 半导体分立器件.QL72型硅三相桥式整流器.详细规范

资源简介
封面预览
拓展解读
下载说明
相关资源
  • 帮助中心
  • 网站地图
  • 联系我们
2024-2025 WenDangJia.com 浙ICP备2024137650号-1