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摘要:本文件规定了3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管的术语、定义、技术要求、测试方法、检验规则及标志、包装、运输和储存条件。本文件适用于3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管的设计、生产和验收。
Title:Semiconductor Discrete Devices - Specification for 3DG213 NPN Silicon Ultra High Frequency Low Noise Differential Pair Transistor
中国标准分类号:M51
国际标准分类号:31.080.01
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拓展解读
SJ 20063-1992 半导体分立器件.3DG213型NPN硅超高频低噪声双差分对晶体管.详细规范
SJ 20063-1992是中国国家标准化管理委员会发布的一项国家标准,主要用于规范半导体分立器件的技术要求。其中,3DG213型NPN硅晶体管是该标准中的一种典型产品,具有超高频和低噪声的特点,广泛应用于高频电路设计。
3DG213是一种NPN硅材料的超高频低噪声双差分对晶体管,其主要特点包括:
3DG213晶体管因其优异的性能,常用于以下场景:
3DG213晶体管通常采用TO-18或TO-92等小型封装形式,选择时需根据具体应用需求考虑以下因素:
根据SJ 20063-1992标准,3DG213晶体管的主要电气参数如下:
在实际应用中,应确保工作参数不超过上述限值,以避免损坏晶体管。
要确认3DG213晶体管是否符合SJ 20063-1992标准,可以参考以下步骤:
为了保证3DG213晶体管的正常工作和使用寿命,应注意以下几点:
市场上存在一些与3DG213功能相近的晶体管替代品,例如:
在选择替代品时,需仔细对比参数和封装兼容性。