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    GBT 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
    砷化镓单晶位错密度测试方法半导体材料
    16 浏览2025-06-08 更新pdf2.14MB 未评分
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    摘要:本文件规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法,包括样品制备、蚀刻处理、显微镜观察及位错密度计算。本文件适用于砷化镓单晶材料的质量检测和性能评估。
    Title:Test Method for Dislocation Density of Gallium Arsenide Single Crystal
    中国标准分类号:H52
    国际标准分类号:47.045

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    GBT 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
  • 拓展解读

    GBT 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

    GBT 8760-2020 是一项关于砷化镓单晶位错密度测试的标准,旨在提供一种科学、准确的方法来评估砷化镓单晶材料的质量。以下是该标准的主要内容以及与老版本的变化对比。

    主要内容

    • 测试原理:利用化学腐蚀技术,通过观察腐蚀后的表面形貌来检测位错密度。
    • 样品准备:要求样品表面平整,无明显缺陷,并需经过严格的清洗处理。
    • 测试步骤:
      • 选择合适的腐蚀液和温度。
      • 将样品浸入腐蚀液中,保持一定时间。
      • 取出样品后进行显微镜观察。
    • 结果分析:根据腐蚀后的图像计算位错密度。

    与老版本的变化

    • 改进了测试条件:新版本对腐蚀液的成分和浓度进行了优化,提高了测试的精确度。
    • 增加了适用范围:相较于老版本,新标准适用于更广泛的砷化镓单晶材料类型。
    • 更新了设备要求:推荐使用更高分辨率的显微镜以获得更清晰的图像。
    • 简化了操作流程:通过标准化操作步骤,减少了人为误差的可能性。
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