资源简介
摘要:本文件规定了使用激光散射法对碳化硅外延片表面缺陷进行测试的方法,包括测试设备要求、操作步骤、数据处理和结果评估。本文件适用于碳化硅外延片的生产、检测及质量控制。
Title:Test Method for Surface Defects of Silicon Carbide Epitaxial Wafers - Laser Scattering Method
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:25.160
封面预览
拓展解读
以下是关于GBT 42902-2023标准中碳化硅外延片表面缺陷激光散射法测试的一些常见问题及其解答。
GBT 42902-2023 是中国国家标准化管理委员会发布的关于碳化硅外延片表面缺陷检测的标准,其中规定了使用激光散射法进行表面缺陷测试的具体方法和要求。
激光散射法通过向碳化硅外延片表面发射一束激光,利用缺陷对光的散射特性来检测表面缺陷。当激光遇到表面缺陷时,部分光会被散射,通过检测散射光的强度和分布,可以判断缺陷的位置和大小。
激光散射法具有以下优点:
激光散射法主要适用于检测碳化硅外延片表面的微小颗粒、划痕、凹坑等缺陷。但对于某些深层或内部缺陷,可能需要结合其他检测方法(如X射线衍射或超声波检测)进行补充测试。
选择激光波长时需考虑以下因素:
通常建议根据具体应用场景选择适合的波长范围。
为减少测试误差,应注意以下几点:
测试结果通常以散射光强分布图的形式呈现,缺陷的位置和大小可以通过以下指标进行判断:
结合标准限值判断样品是否符合要求。
如果测试结果显示缺陷超出标准限值,应采取以下措施:
GBT 42902-2023标准广泛应用于以下领域:
该标准为相关行业的质量管理和技术发展提供了重要参考。