GBT 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法

GBT 30868-2014主要内容

GBT 30868-2014《碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法》规定了利用化学腐蚀法测定碳化硅单晶片微管密度的方法。该标准适用于碳化硅单晶片，特别是4H、6H和15R晶型的碳化硅单晶片。

• 主要步骤包括：
  • 样品准备：选择合适的碳化硅单晶片进行测试。
  • 化学腐蚀：采用特定的化学试剂对样品进行腐蚀处理。
  • 显微观察：通过显微镜观察腐蚀后的样品表面，统计微管的数量。
  • 计算微管密度：根据观察结果计算单位面积上的微管数量。

与老版本的变化

相比老版本，GBT 30868-2014在以下几个方面进行了更新和改进：

• 适用范围扩展：增加了更多晶型（如4H、6H和15R）的支持，使标准更具通用性。
• 方法优化：改进了化学腐蚀的具体参数，提高了检测的准确性和重复性。
• 设备要求明确：明确了显微镜等设备的技术要求，确保测试结果的一致性。
• 数据处理规范：提供了更详细的计算公式和数据处理流程，减少了人为误差。