资源简介
摘要:本文件规定了使用X射线光电子能谱法测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法。本文件适用于硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的定量分析,特别是在半导体材料和器件制造领域中的应用。
Title:Measurement of thickness of ultra-thin silicon oxide layer on silicon wafer surface by X-ray photoelectron spectroscopy
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:25.160.30
封面预览
拓展解读
该标准规定了使用X射线光电子能谱法(XPS)测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法。适用于厚度在1 nm到10 nm范围内的氧化硅层,提供了详细的实验步骤、仪器要求以及数据处理方法。