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资源简介
摘要：本文件规定了使用X射线光电子能谱法测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法。本文件适用于硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的定量分析，特别是在半导体材料和器件制造领域中的应用。
Title：Measurement of thickness of ultra-thin silicon oxide layer on silicon wafer surface by X-ray photoelectron spectroscopy
中国标准分类号：L80
国际标准分类号：25.160.30 -
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拓展解读
GBT 25188-2010主要内容
该标准规定了使用X射线光电子能谱法（XPS）测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法。适用于厚度在1 nm到10 nm范围内的氧化硅层，提供了详细的实验步骤、仪器要求以及数据处理方法。
与老版本的变化
- 适用范围: 新版标准明确了更精确的厚度范围（1 nm到10 nm），而老版本可能覆盖更宽泛的范围。
- 仪器要求: 新版对XPS仪器的分辨率和灵敏度提出了更高的要求，以确保测量精度。
- 数据处理: 新版增加了对背景扣除和信号校正的具体指导，减少了人为误差。
- 实验步骤: 对样品制备和测量过程中的细节进行了优化，例如样品清洁和测量环境的要求更加严格。
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