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    SJT 11707-2018 硅通孔几何测量术语
    硅通孔几何测量术语微电子集成电路
    19 浏览2025-06-09 更新pdf10.5MB 未评分
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  • 资源简介

    摘要:本文件规定了硅通孔(TSV)几何测量相关的术语和定义。本文件适用于硅通孔技术的研究、设计、制造、检测及应用领域。
    Title:Terms for Silicon Through-hole Geometry Measurement
    中国标准分类号:L79
    国际标准分类号:31.140

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    SJT 11707-2018 硅通孔几何测量术语
  • 拓展解读

    概述

    SJT 11707-2018《硅通孔几何测量术语》是对硅通孔(TSV)相关几何测量的专业术语进行规范的最新标准。该标准取代了旧版本,提供了更精确和全面的定义。

    主要内容

    SJT 11707-2018 主要包括以下几个方面的内容:

    • 基本概念:对硅通孔的基本定义、结构和应用进行了详细说明。
    • 测量方法:介绍了多种用于测量硅通孔几何特性的方法和技术。
    • 术语定义:给出了与硅通孔相关的所有关键术语及其定义。
    • 测试设备:列出了适用于硅通孔测量的主要设备及其技术要求。

    与老版本的变化

    相比旧版本,SJT 11707-2018 在以下方面进行了改进和更新:

    • 新增术语:
      • 增加了近年来在硅通孔技术中出现的新术语。
      • 补充了与先进制造工艺相关的专业词汇。
    • 修订定义:
      • 对部分已有术语的定义进行了细化和修正,以适应最新的行业实践。
      • 澄清了一些容易混淆的概念。
    • 增强可操作性:增加了更多实际测量案例和应用场景,便于用户理解和应用。
    • 国际化接轨:参考了国际相关标准,使术语体系更加统一和科学。
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