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资源简介
摘要：本文件规定了用光电导衰减法测定硅和锗体内少数载流子寿命的方法、设备要求、样品制备及测试步骤。本文件适用于硅和锗材料的少数载流子寿命测定，可用于评估半导体材料的质量及工艺性能。
Title：Determination of minority carrier lifetime in silicon and germanium by photoconductance decay method
中国标准分类号：H13
国际标准分类号：29.045 -
封面预览
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拓展解读
GBT 1553-2023主要内容
GBT 1553-2023《硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法》规定了通过光电导衰减法测定硅和锗材料中少数载流子寿命的方法。该标准适用于半导体材料的研究、生产和质量控制。
与老版本的变化
- 测量精度提升：新版本引入了更精确的测量仪器和校准方法，提高了数据的准确性。
- 适用范围扩展：增加了对新型硅锗合金材料的支持，扩大了适用范围。
- 操作步骤优化：简化了一些复杂的操作步骤，使实验过程更加高效。
- 安全性增强：更新了安全操作规范，强调了在高能光照射下的防护措施。
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