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资源简介
摘要：本文件规定了用光电导衰减法测定硅和锗体内少数载流子寿命的方法、步骤及数据处理要求。本文件适用于硅和锗单晶材料少数载流子寿命的测定。
Title：Determination of minority carrier lifetime in silicon and germanium by photoconductivity decay method
中国标准分类号：H12
国际标准分类号：25.160 -
封面预览
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拓展解读
GBT 1553-1997 标准主要内容
该标准规定了通过光电导衰减法测定硅和锗体内少数载流子寿命的方法。这种方法主要用于半导体材料的研究和质量控制。
与老版本的主要变化
- 测量精度提升：新版本引入了更精确的测量仪器和方法，提高了数据的准确性。
- 适用范围扩展：增加了对不同尺寸和形状样品的支持，使得测试更加灵活。
- 操作步骤优化：简化了一些复杂的操作步骤，使实验过程更加高效。
- 安全要求加强：新增了对实验环境的安全要求，确保操作人员的安全。
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