资源简介
摘要:本文件规定了用直排四探针法测定硅、锗单晶电阻率的方法、设备要求、测试条件和计算方法。本文件适用于硅、锗单晶材料电阻率的测量,尤其适用于均匀性较好的单晶样品。
Title:Silicon and Germanium Single Crystals - Determination of Resistivity by Collinear Four-Point Probe Method
中国标准分类号:H53
国际标准分类号:25.160.40
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拓展解读
以下是关于 GBT 1552-1995 标准中硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法的一些常见问题及其详细解答。
直排四探针法 是一种用于测量半导体材料(如硅和锗)电阻率的方法。该方法通过在样品表面布置四个探针,其中两个探针用于施加电流,另外两个探针用于测量电压降,从而计算出样品的电阻率。
该标准适用于 硅和锗单晶材料 的电阻率测定。它提供了详细的测试方法和步骤,以确保测量结果的准确性和一致性。
直排四探针法主要适用于 均匀性较好的单晶材料。对于多晶材料或存在明显不均匀性的样品,可能会导致较大的测量误差。
是的,环境因素(如温度、湿度)可能会影响测量结果。因此,在测试时需要尽量保持环境条件稳定,并在报告中注明测试条件。
该标准仅适用于硅和锗单晶材料,对于其他材料(如砷化镓、碳化硅等),需参考相应的国家标准或国际标准。