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资源简介
摘要：本文件规定了用探针电容-电压法测定硅外延层载流子浓度的方法和步骤。本文件适用于硅外延层中载流子浓度的测量，以及相关半导体材料性能分析。
Title：Determination of Carrier Concentration in Silicon Epitaxial Layers and Probe Capacitance-Voltage Method
中国标准分类号：K14
国际标准分类号：25.160 -
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拓展解读
GBT 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定和探针电容--电压法
该标准规定了通过探针电容—电压法测定硅外延层载流子浓度的方法。
主要内容
- 适用范围: 适用于硅外延层中载流子浓度的测量。
- 测试原理: 利用探针电容—电压法，通过测量电容随电压变化的关系来推算载流子浓度。
- 设备要求: 需要高精度的电容—电压测试仪以及合适的探针。
- 样品制备: 样品需经过适当处理以确保测试准确性。
- 测试步骤: 包括样品连接、数据采集和结果分析等步骤。
与老版本的变化
- 技术改进: 新版本对测试仪器的精度提出了更高的要求。
- 方法优化: 对样品制备过程进行了细化，提高了测试的重复性。
- 数据分析: 引入了更先进的数据分析方法，使结果更加准确。
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