T/CI 161-2022 标准详情

T/CI 161-2022 现行
1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管(IGBT)驱动器
1 200 V and 1 700 V Insulated grade bipolar transistor(IGBT)gate driver

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标准状态

2022-12-15
2022-12-15

标准信息

中国国际科技促进会
tbQbw86
现行
T/CI 161-2022
1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管(IGBT)驱动器
1 200 V and 1 700 V Insulated grade bipolar transistor(IGBT)gate driver

主要技术内容

本文件规定了1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动器的术语和定义、缩略语、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动器(以下简称“驱动器”)。

起草单位

杭州飞仕得科技股份有限公司、浙江运达风电股份有限公司、杭州得诚电力科技股份有限公司、杭州飞仕得半导体科技有限公司、杭州毕博标准化技术有限公司

起草人

李军、王坤、陈哲、钱方平、刘伟、李景灏、周才运、张杰、郭祥辉、刘乃强、杨昌国、王文广、洪磊、沈军武、付厚、魏平、孔佳佳

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