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GB/T 29332-2012 标准详情

GB/T 29332-2012 现行
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

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标准状态

2012-12-31
2013-06-01

标准信息

工业和信息化部（电子）
工业和信息化部（电子）
该标准采用国际标准
L42
31.080.30;31.080.01
国家标准
现行
GB/T 29332-2012
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

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