T/IAWBS 008-2019 标准详情

T/IAWBS 008-2019 现行

SiC晶片的残余应力检测方法

Experimental method for residual stress in SiC wafers

标准内容导航

标准状态

发布日期2019-12-27

实施日期2019-12-31

标准信息

团体名称中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

包含专利否

国际标准分类号29.045

行业分类C398 电子元件及电子专用材料制造

标准层级tbQbw86

标准状态现行

标准号T/IAWBS 008-2019

标准名SiC晶片的残余应力检测方法

标准英文名Experimental method for residual stress in SiC wafers

适用范围

本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。

主要技术内容

近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，全球市场容量未来将达到百亿美元，已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向之一。?与传统硅基晶圆类似，碳化硅晶圆的制造工艺中也会产生残余应力，过大的残余应力除了会造成晶圆翘曲、断裂等失效问题外，还会因压阻效应影响碳化硅晶圆电性能，因此，精确测量制造工艺过程中SiC晶圆的残余应力，对于提高产品良率和电性能，具有重要的意义。