T/NXCL 016-2022 标准详情
T/NXCL 016-2022
现行
200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片
200 mm heavily antimony-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafer
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标准状态
标准信息
主要技术内容
本文件规定了200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何参数、氧化诱生缺陷、表面质量、边缘轮廓等。试验方法包括导电类型、电阻率、电阻率变化、间隙氧含量、径向氧含量、碳含量、表面金属含量、体内金属（铁）含量、直径晶向及晶向偏离度、厚度和总厚度变化、弯曲度、翘曲度、平整度和局部平整度、氧化诱生缺陷、表面质量、局部光散射体（微小颗粒沾污）和边缘轮廓测量的测量或检验方法。检验规则分为出厂检验和型式检验。
起草单位
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司
起草人
芮阳、商润龙、王黎光、伊冉、曹启刚、杨少林、熊欢、王忠宝、马成、周文辉、马吟霜、魏兴彤、张昆、盛之林、张友海、顾燕滨、黄柳青、范占军
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