T/ZZB 2833-2022 标准详情
T/ZZB 2833-2022
现行
高压MOSFET用200 mm硅外延片
200 mm silicon epitaxial wafers for high voltage MOSFET
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标准状态
标准信息
主要技术内容
本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 。
起草单位
浙江金瑞泓科技股份有限公司、金瑞泓科技（衢州）有限公司
起草人
许峰、李慎重、李刚、刘红方、朱华英、李方虎、李艳玲
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