资源简介
摘要:本文件规定了半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的光致发光检测方法,包括检测原理、设备要求、样品制备、检测步骤和结果分析等内容。本文件适用于碳化硅同质外延片中各类缺陷的无损检测与评估。
Title:Semiconductor Devices - Non-destructive Detection Criteria for Defects in Silicon Carbide Homo-epitaxial Wafers for Power Devices - Part 3: Photoluminescence Detection Method
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:47.045
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拓展解读
在执行“半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法 GBT 43493.3-2023”时,可以通过优化流程和资源利用来降低成本并提高效率。以下是基于标准核心原则提出的10项弹性方案。
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