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资源简介
摘要：本文件规定了砷化镓单晶棒及片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以液封直拉法生长的砷化镓单晶棒及片，主要用于生产半导体器件和集成电路。
Title：Gallium Arsenide Single Crystal Bars and Wafers
中国标准分类号：L80
国际标准分类号：25.160 -
封面预览
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拓展解读
概述
SJ 3241-1989 是关于砷化镓单晶棒及片的标准，用于规范其生产和质量要求。以下是该标准的主要内容及其与老版本的对比。
主要内容
- 晶体结构: 规定了砷化镓单晶棒及片的晶体结构应为单晶，并明确了晶体的生长方向和晶向偏差的要求。
- 尺寸公差: 对单晶棒及片的长度、直径、厚度等尺寸进行了详细规定，确保产品的标准化生产。
- 表面质量: 要求表面无明显划痕、裂纹或杂质，以保证材料的光学和电学性能。
- 电阻率和均匀性: 明确了电阻率的范围以及电阻率的均匀性要求，这对于半导体器件的制造至关重要。
- 测试方法: 提供了详细的测试方法，包括晶体结构分析、尺寸测量和电阻率测试等。
与老版本的变化
- 晶体结构要求: 新版标准对晶体结构的要求更加严格，增加了对晶向偏差的具体数值限制。
- 尺寸公差改进: 尺寸公差范围有所调整，更符合现代生产工艺的需求。
- 表面质量提升: 表面质量要求更加细化，新增了对表面粗糙度的控制指标。
- 电阻率范围优化: 根据实际应用需求，调整了电阻率的上下限范围，使其更具针对性。
- 测试方法更新: 引入了一些新的测试技术和设备，提高了检测的准确性和效率。
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