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摘要:本文件规定了磷化铟单晶棒及片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于磷化铟单晶棒及片的生产与验收,主要用于半导体器件和光电子器件领域。
Title:Indium Phosphide Single Crystal Ingots and Wafers
中国标准分类号:H63
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
SJ 3243-1989 是一项关于磷化铟单晶棒及片的标准,主要用于半导体材料的质量控制和检测。以下是针对这一标准的一些常见问题及其解答。
SJ 3243-1989 是中国国家标准化管理委员会发布的一项标准,主要规定了磷化铟(InP)单晶棒及片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等内容。该标准适用于半导体器件中使用的磷化铟单晶棒及片。
磷化铟单晶棒及片广泛应用于微波器件、光电子器件、激光器、太阳能电池等领域。由于其优异的光电性能和热稳定性,磷化铟成为制造高性能半导体器件的重要材料。
磷化铟单晶棒通常通过以下几种方法制备:
根据 SJ 3243-1989 标准,磷化铟单晶棒及片应储存在干燥、无腐蚀性气体的环境中,避免阳光直射和机械损伤。同时,建议温度保持在 -10℃ 至 +30℃ 范围内。
对于不符合标准的产品,应进行重新检测或返工处理。如果无法修复,则需要报废并记录相关数据,以供后续改进参考。
不适用。SJ 3243-1989 仅针对磷化铟单晶棒及片,其他半导体材料需参照相应标准进行质量控制。
随着光通信、量子计算和新能源领域的发展,磷化铟单晶棒及片的需求持续增长。其独特的光电性能使其在高端应用中具有不可替代的地位。