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    GBT 6619-2009 硅片弯曲度测试方法
    硅片弯曲度测试方法半导体质量控制
    13 浏览2025-06-08 更新pdf0.74MB 未评分
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    摘要:本文件规定了硅片弯曲度的测试方法,包括测量原理、设备要求、操作步骤和结果计算。本文件适用于单晶硅片和多晶硅片的弯曲度测量。
    Title:Test Method for Silicon Wafer Bow - GBT 6619-2009
    中国标准分类号:L80
    国际标准分类号:25.160

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    GBT 6619-2009 硅片弯曲度测试方法
  • 拓展解读

    GBT 6619-2009 硅片弯曲度测试方法

    GBT 6619-2009 是关于硅片弯曲度测试方法的标准,用于评估硅片在制造和使用过程中的弯曲程度。该标准详细规定了测试的原理、设备要求、操作步骤以及结果计算方法。

    主要内容

    • 测试原理:通过测量硅片在特定条件下的形变来确定其弯曲度。
    • 设备要求:
      • 高精度测量仪器
      • 专用夹具以固定硅片
      • 环境控制设备(如温度和湿度)
    • 操作步骤:
      • 准备样品并清洁表面
      • 将硅片放置于夹具中
      • 进行测量并记录数据
    • 结果计算:根据测量数据计算弯曲度,并给出最终结果。

    与老版本的变化

    • 增加了对环境条件的具体要求,以提高测试结果的准确性。
    • 更新了测量仪器的技术指标,要求更高的精度和稳定性。
    • 优化了操作步骤,简化了一些复杂的流程,提高了测试效率。
    • 引入了新的数据分析方法,使结果更易于理解和应用。
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