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    GBT 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
    硅单晶Ⅲ-Ⅴ族杂质光致发光测试方法半导体材料
    18 浏览2025-06-09 更新pdf0.88MB 未评分
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    摘要:本文件规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法,包括测试设备、样品制备、测试步骤和数据处理。本文件适用于硅单晶材料中微量Ⅲ-Ⅴ族杂质的定性和定量分析。
    Title:Test Method for Photoluminescence of III-V Impurities in Silicon Single Crystal
    中国标准分类号:H53
    国际标准分类号:25.160

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    GBT 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
  • 拓展解读

    GBT 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法常见问题解答

    问:什么是GBT 24574-2009标准?

    GBT 24574-2009是中国国家标准化管理委员会发布的关于硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质检测的标准,规定了利用光致发光技术对硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质(如硼、镓、铟等)进行定量分析的方法。

    问:为什么选择光致发光技术来检测硅单晶中的杂质?

    光致发光技术具有非破坏性、高灵敏度和快速检测的优点,能够有效识别硅单晶中低浓度的Ⅲ-Ⅴ族杂质,同时避免了传统化学分析可能带来的样品污染。

    问:光致发光测试的基本原理是什么?

    光致发光测试通过激发光源照射硅单晶样品,使其中的Ⅲ-Ⅴ族杂质原子吸收能量并跃迁至激发态,随后释放出特定波长的光子,通过检测这些光子的强度和波长分布,可以推断杂质的种类和含量。

    问:如何准备符合GBT 24574-2009标准的样品?

    • 样品需为未经表面处理的硅单晶。
    • 样品表面应清洁无污染,避免灰尘或油污影响测试结果。
    • 样品尺寸和形状应满足测试设备的要求。

    问:光致发光测试的主要步骤有哪些?

    1. 将样品放置于测试设备中,调整激发光源和探测器的角度。
    2. 开启光源,记录样品发出的光谱信号。
    3. 对光谱数据进行分析,提取特征峰的位置和强度。
    4. 根据标准曲线或计算公式得出杂质的浓度。

    问:光致发光测试结果是否需要校准?

    是的,测试结果需要通过已知浓度的标准样品进行校准,以确保测量的准确性和可靠性。

    问:光致发光测试中常见的误差来源有哪些?

    • 样品表面污染或不平整。
    • 光源强度不稳定。
    • 环境温度或湿度变化。
    • 仪器校准不当。

    问:GBT 24574-2009标准适用于哪些场景?

    该标准适用于半导体行业,特别是太阳能电池、集成电路等领域,用于评估硅单晶材料的质量和纯度。

    问:如果测试结果超出标准范围怎么办?

    首先检查测试过程是否规范,确认无误后可采取进一步的化学分析验证结果;同时,通知生产部门调整工艺参数以改善材料质量。

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