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摘要:本文件规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法,包括测试设备、样品制备、测试步骤和数据处理。本文件适用于硅单晶材料中微量Ⅲ-Ⅴ族杂质的定性和定量分析。
Title:Test Method for Photoluminescence of III-V Impurities in Silicon Single Crystal
中国标准分类号:H53
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
问:什么是GBT 24574-2009标准?
GBT 24574-2009是中国国家标准化管理委员会发布的关于硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质检测的标准,规定了利用光致发光技术对硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质(如硼、镓、铟等)进行定量分析的方法。
问:为什么选择光致发光技术来检测硅单晶中的杂质?
光致发光技术具有非破坏性、高灵敏度和快速检测的优点,能够有效识别硅单晶中低浓度的Ⅲ-Ⅴ族杂质,同时避免了传统化学分析可能带来的样品污染。
问:光致发光测试的基本原理是什么?
光致发光测试通过激发光源照射硅单晶样品,使其中的Ⅲ-Ⅴ族杂质原子吸收能量并跃迁至激发态,随后释放出特定波长的光子,通过检测这些光子的强度和波长分布,可以推断杂质的种类和含量。
问:如何准备符合GBT 24574-2009标准的样品?
问:光致发光测试的主要步骤有哪些?
问:光致发光测试结果是否需要校准?
是的,测试结果需要通过已知浓度的标准样品进行校准,以确保测量的准确性和可靠性。
问:光致发光测试中常见的误差来源有哪些?
问:GBT 24574-2009标准适用于哪些场景?
该标准适用于半导体行业,特别是太阳能电池、集成电路等领域,用于评估硅单晶材料的质量和纯度。
问:如果测试结果超出标准范围怎么办?
首先检查测试过程是否规范,确认无误后可采取进一步的化学分析验证结果;同时,通知生产部门调整工艺参数以改善材料质量。