资源简介
摘要:本文件规定了采用红外吸收法测量300-900μm厚度硅片中间隙氧含量的方法和步骤。本文件适用于半导体用单晶硅片中间隙氧含量的定量分析。
Title:Measurement of interstitial oxygen content in silicon wafers (300-900 μm) by infrared absorption method
中国标准分类号:J72
国际标准分类号:25.160.40
封面预览
拓展解读
GBT 14143-1993是中国国家标准,用于规范300-900μm厚度范围内硅片中间隙氧含量的测定方法。该标准基于红外吸收原理,通过精确测量硅材料对特定波长红外光的吸收特性来评估其内部氧含量。这种方法具有高精度、快速响应和非破坏性等优点,在半导体制造领域具有重要意义。
红外吸收法的核心在于利用硅材料对特定波长(如1100nm左右)红外光的吸收特性。当红外光穿过硅片时,氧原子会吸收特定频率的光子,导致光强减弱。通过检测光强的变化,可以推算出硅片中的氧含量。
根据GBT 14143-1993标准,红外吸收测量的具体步骤如下:
红外吸收法在硅片氧含量测量中具有显著优势,但也面临一些挑战:
GBT 14143-1993标准中提出的红外吸收法为300-900μm硅片间隙氧含量的测量提供了科学、可靠的技术手段。该方法不仅满足了半导体行业对高精度测量的需求,还推动了相关领域的技术进步。未来,随着新材料和新技术的发展,红外吸收法有望进一步优化,以适应更广泛的工业应用场景。