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  • GBT 14143-1993 300-900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法

    GBT 14143-1993 300-900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法
    硅片间隙氧含量红外吸收测量方法半导体材料
    16 浏览2025-06-09 更新pdf0.32MB 未评分
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    摘要:本文件规定了采用红外吸收法测量300-900μm厚度硅片中间隙氧含量的方法和步骤。本文件适用于半导体用单晶硅片中间隙氧含量的定量分析。
    Title:Measurement of interstitial oxygen content in silicon wafers (300-900 μm) by infrared absorption method
    中国标准分类号:J72
    国际标准分类号:25.160.40

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    GBT 14143-1993 300-900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法
  • 拓展解读

    GBT 14143-1993标准中300-900μm硅片间隙氧含量的红外吸收测量方法

    GBT 14143-1993是中国国家标准,用于规范300-900μm厚度范围内硅片中间隙氧含量的测定方法。该标准基于红外吸收原理,通过精确测量硅材料对特定波长红外光的吸收特性来评估其内部氧含量。这种方法具有高精度、快速响应和非破坏性等优点,在半导体制造领域具有重要意义。

    红外吸收测量的基本原理

    红外吸收法的核心在于利用硅材料对特定波长(如1100nm左右)红外光的吸收特性。当红外光穿过硅片时,氧原子会吸收特定频率的光子,导致光强减弱。通过检测光强的变化,可以推算出硅片中的氧含量。

    • 光谱选择性: 红外光的波长需与氧原子的振动频率匹配,以确保吸收信号的有效性。
    • 样品厚度控制: 测量范围限定在300-900μm之间,以保证吸收信号的线性和准确性。
    • 背景校正: 需要消除其他杂质或材料成分对红外光的干扰。

    测量步骤与技术要求

    根据GBT 14143-1993标准,红外吸收测量的具体步骤如下:

    • 样品制备: 确保硅片表面清洁无污染,并严格控制厚度在300-900μm范围内。
    • 仪器校准: 使用已知氧含量的标准样品对设备进行校准,确保测量结果的可靠性。
    • 数据采集: 将硅片置于红外光源与探测器之间,记录光强变化并计算氧含量。
    • 数据分析: 利用公式将光强变化转换为氧含量值,并结合多次测量结果进行统计分析。

    方法的优势与挑战

    红外吸收法在硅片氧含量测量中具有显著优势,但也面临一些挑战:

    • 优势:
      • 非接触式测量,避免了对样品的物理损伤。
      • 测量速度快,适合大规模生产中的质量控制。
      • 灵敏度高,能够检测极低浓度的氧含量。
    • 挑战:
      • 对仪器精度要求较高,需要定期维护和校准。
      • 环境因素(如温度、湿度)可能影响测量结果。
      • 对于某些特殊材质的硅片,可能需要调整测量参数。

    结论

    GBT 14143-1993标准中提出的红外吸收法为300-900μm硅片间隙氧含量的测量提供了科学、可靠的技术手段。该方法不仅满足了半导体行业对高精度测量的需求,还推动了相关领域的技术进步。未来,随着新材料和新技术的发展,红外吸收法有望进一步优化,以适应更广泛的工业应用场景。

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