资源简介
摘要:本文件规定了用干涉相衬显微镜法测定硅外延层堆垛层错密度的方法。本文件适用于硅外延层中堆垛层错密度的测定,主要用于半导体材料的质量评估和工艺控制。
Title:Determination of Stacking Fault Density in Silicon Epitaxial Layers by Interference Phase Contrast Microscopy
中国标准分类号:H21
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
在遵守“GBT 14145-1993 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法”核心原则的基础上,通过灵活调整和优化流程,可以有效降低实验成本并提高效率。以下是基于核心业务环节提出的10项弹性方案。
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