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摘要:本文件规定了用四探针法测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本文件适用于硅半导体材料中薄层电阻的测定,薄层电阻范围一般为1×10^-3 Ω/□至5000 Ω/□。
Title:Determination of sheet resistance for silicon epitaxial layers, diffused layers and ion-implanted layers
中国标准分类号:H24
国际标准分类号:25.160.20
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拓展解读
在遵守标准核心原则的前提下,通过优化流程和资源利用,可以有效降低测试成本并提高效率。以下是针对“GBT 14141-1993”标准提出的10项弹性方案。