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  • GBT 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定

    GBT 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定
    硅外延层扩散层离子注入层薄层电阻测定方法
    17 浏览2025-06-09 更新pdf0.35MB 未评分
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  • 资源简介

    摘要:本文件规定了用四探针法测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本文件适用于硅半导体材料中薄层电阻的测定,薄层电阻范围一般为1×10^-3 Ω/□至5000 Ω/□。
    Title:Determination of sheet resistance for silicon epitaxial layers, diffused layers and ion-implanted layers
    中国标准分类号:H24
    国际标准分类号:25.160.20

  • 封面预览

    GBT 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定
  • 拓展解读

    灵活执行与优化方案

    在遵守标准核心原则的前提下,通过优化流程和资源利用,可以有效降低测试成本并提高效率。以下是针对“GBT 14141-1993”标准提出的10项弹性方案。

    • 统一测试设备校准周期:适当延长校准间隔时间,同时加强日常检查,确保设备精度不受影响。
    • 优化样品预处理流程:减少不必要的清洗步骤,采用快速干燥技术以缩短样品准备时间。
    • 分批测试管理:将相似批次的样品集中测试,减少设备切换频率,提升测试效率。
    • 引入自动化数据记录:利用传感器和软件自动记录测试数据,减少人工干预,降低人为误差。
    • 灵活调整测试环境参数:根据实际需求动态调整温度、湿度等环境条件,避免过度控制。
    • 共享测试资源:与其他实验室合作共享测试设备,减少重复投资,提高设备利用率。
    • 简化报告生成方式:开发标准化模板,快速生成测试报告,减少人工编制时间。
    • 定期培训操作人员:通过定期培训提升技术人员技能水平,减少因操作失误导致的返工。
    • 优化测试顺序:按照样品特性合理安排测试顺序,优先处理高优先级或易损样品。
    • 引入替代性测量方法:在不影响结果准确性的前提下,探索更经济高效的替代测量手段。
  • 下载说明

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