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资源简介
摘要：本文件规定了硅单晶的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以直拉法或区熔法生长的硅单晶，主要用于制作半导体器件和集成电路的衬底材料。
Title：Silicon Single Crystal
中国标准分类号：H52
国际标准分类号：29.045 -
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拓展解读
GBT 12962-1996 硅单晶标准
GBT 12962-1996 是关于硅单晶的国家标准，规定了硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容。
主要内容
- 技术要求：包括硅单晶的尺寸、电阻率、氧含量、碳含量等物理化学性能指标。
- 试验方法：详细描述了如何测量硅单晶的各项性能指标，如电阻率测试、氧含量分析等。
- 检验规则：规定了产品的检验分类、抽样方案、判定规则等。
- 标志、包装、运输和贮存：明确了产品的标识方式、包装要求以及在运输和存储过程中的注意事项。
与老版本的变化
- 增加了对硅单晶氧含量和碳含量的具体限值要求。
- 改进了电阻率测试的方法，使其更加精确。
- 更新了包装材料的要求，以提高产品的运输安全性。
- 新增了对环境友好型包装的建议。
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