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摘要:本文件规定了水平法砷化镓单晶及切割片的术语和定义、产品分类、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以水平法生长的砷化镓单晶及其切割片,主要用于半导体器件和集成电路等领域。
Title:Horizontal Method Grown Gallium Arsenide Single Crystals and Sliced Wafers
中国标准分类号:H21
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
以下是关于GBT 11094-2020
标准中水平法砷化镓单晶及切割片的一些常见问题及其详细解答。
回答: GBT 11094-2020 是中国国家标准,规定了水平法生长砷化镓单晶及其切割片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等内容。该标准适用于以水平区熔法(HZM)或水平布里奇曼法(HBRM)生长的砷化镓单晶及切割片,主要用于半导体器件制造领域。
回答: 砷化镓单晶因其优异的电学和光学性能,广泛应用于微波毫米波器件、光电子器件、激光器、太阳能电池等领域。切割片则通常作为后续加工的基础材料,用于制造各种半导体器件。
回答:
回答: 质量检测主要包括以下几个方面:
回答: 根据GB/T 11094-2020的规定,砷化镓单晶切割片的厚度公差范围一般为±5%。例如,如果切割片的目标厚度为300μm,则实际厚度应在285μm至315μm之间。
回答: 砷化镓单晶常见的缺陷包括:
回答: 避免污染的关键措施包括:
回答: 表面处理的要求包括:
回答: 砷化镓单晶及切割片的储存需注意以下几点: