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摘要:本文件规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于锑化铟多晶、单晶及切割片的生产、检验和验收,主要用于红外探测器和其他半导体器件领域。
Title:Indium Antimonide Polycrystal, Single Crystal and Slicing Wafer
中国标准分类号:H52
国际标准分类号:47.045
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拓展解读
以下是关于GBT 11072-2009标准中涉及锑化铟多晶、单晶及切割片的一些常见问题及其详细解答。
GBT 11072-2009 是中国国家标准,主要规定了锑化铟(InSb)材料在多晶、单晶及切割片形式下的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容。该标准适用于半导体器件、红外探测器等领域的锑化铟材料。
两者的主要区别在于晶体结构的完整性,单晶通常比多晶更适合对性能要求较高的应用。
根据标准,可以通过以下方式验证:
所有这些测试都需要按照标准规定的试验方法进行。
锑化铟切割片主要用于以下领域:
切割片的形状和尺寸可以根据具体应用需求定制。
根据GBT 11072-2009标准,锑化铟材料的储存需注意以下几点:
正确的储存条件可以延长材料的使用寿命并保证其性能稳定。
如果检测发现材料不符合标准,应采取以下措施:
重要的是要严格按照标准要求执行,确保最终产品的质量和可靠性。
锑化铟材料价格较高的原因主要包括:
尽管价格较高,但其优异的性能使其在高端应用中不可或缺。