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    YST 936-2013 集成电路器件用镍钒合金靶材
    集成电路镍钒合金靶材溅射半导体
    21 浏览2025-06-10 更新pdf0.23MB 未评分
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    摘要:本文件规定了集成电路器件用镍钒合金靶材的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以镍钒合金为材料,用于集成电路器件制造中的物理气相沉积(PVD)工艺的靶材。
    Title:Nickel-Vanadium Alloy Targets for Integrated Circuit Devices
    中国标准分类号:H53
    国际标准分类号:25.160.40

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    YST 936-2013 集成电路器件用镍钒合金靶材
  • 拓展解读

    摘要

    随着集成电路技术的不断发展,高性能材料在半导体制造中的作用愈发重要。本文以 YST 936-2013 标准为基础,探讨了用于集成电路器件的镍钒合金靶材的性能要求、制备工艺及其在现代电子工业中的应用前景。

    引言

    镍钒合金靶材因其优异的导电性、耐腐蚀性和热稳定性,被广泛应用于半导体制造领域。YST 936-2013 标准为镍钒合金靶材的生产提供了明确的技术规范,确保其在集成电路制造中的可靠性和一致性。

    镍钒合金靶材的性能要求

    • 高纯度: 镍钒合金靶材需要达到极高的纯度,以减少杂质对器件性能的影响。
    • 均匀性: 材料内部成分分布需高度均匀,以保证薄膜沉积过程的一致性。
    • 机械强度: 在高温和高应力环境下仍能保持稳定的物理特性。
    • 低电阻率: 提供高效的电流传输能力,降低能耗。

    制备工艺

    镍钒合金靶材的制备涉及多个关键步骤,包括原料选择、熔炼、铸造和后续加工。以下是主要工艺流程:

    • 采用高纯度的镍和钒作为原料,通过真空感应熔炼技术进行初步熔化。
    • 利用等静压技术将熔炼后的合金制成靶坯,确保材料密度和结构均匀。
    • 经过精密机械加工,形成符合标准尺寸和形状的靶材。
    • 最后进行表面处理,以提高靶材的抗氧化能力和使用寿命。

    应用与挑战

    镍钒合金靶材在集成电路制造中主要用于化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)工艺,用于制备高性能金属薄膜。然而,该材料的生产仍面临一些挑战:

    • 如何进一步提升材料的纯度和均匀性。
    • 如何优化制备工艺以降低成本并提高生产效率。
    • 如何应对日益严格的环保法规,减少生产过程中的污染。

    结论

    镍钒合金靶材是现代集成电路制造的重要基础材料,其性能直接决定了器件的质量和可靠性。遵循 YST 936-2013 标准有助于推动相关产业的发展,并满足未来技术需求。未来的研究应着重于改进制备工艺,提升材料性能,并探索更多潜在应用场景。

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