TZZB 0648-2018 200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片

《TZZB 0648-2018 200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片技术规范解析》

TZZB 0648-2018标准对200毫米重掺磷直拉硅单晶抛光片的生产、检测和应用提出了明确的技术要求。该标准适用于以直拉法制备的重掺磷硅单晶，经过切片、研磨、化学腐蚀和抛光等工艺处理后得到的抛光片。

在晶体生长方面，标准规定了硅单晶的电阻率需达到10^-1至10^2 Ω·cm范围，且电阻率均匀性应小于±15%。同时，硅单晶的位错密度不得超过100个/cm²，氧含量应在10^17至10^18 atoms/cm³之间，碳含量需低于5×10^16 atoms/cm³。这些参数直接影响到最终产品的电学性能和机械性能。

对于抛光片的质量要求，标准设定了严格的表面质量指标。具体而言，抛光片的表面粗糙度Ra值应不大于0.5 nm，总厚度变化TTV不超过5 μm，翘曲度Wa不大于15 μm。此外，粒子污染水平需满足：每平方厘米面积上直径大于0.3 μm的颗粒数量不超过10个，直径大于0.2 μm的颗粒数量不超过50个。

在尺寸精度方面，200毫米抛光片的直径公差为±0.2 mm，中心偏差控制在±0.1 mm以内，厚度公差设定为±10 μm。边缘厚度差不得超过50 μm，倒角尺寸和角度需符合设计图纸要求。

为了确保产品质量的一致性和可靠性，标准还对包装运输环节做出了明确规定。要求采用防静电包装材料进行独立封装，并在外包装箱内加入干燥剂，防止湿气侵入。运输过程中要避免剧烈震动和碰撞，确保产品安全送达目的地。

该标准的实施不仅规范了200毫米重掺磷直拉硅单晶抛光片的生产流程，也为相关企业提供了统一的技术参考依据，促进了半导体行业材料质量和工艺水平的整体提升。