首页› 冶金› T/ZZB 2332-2021

T/ZZB 2332-2021 标准详情

T/ZZB 2332-2021 现行
发光二极管用蓝宝石衬底抛光片
Polished sapphire substrate for LED

标准内容导航

标准状态

2021-08-30
2021-09-30

标准信息

浙江省品牌建设联合会
否
H83
29.045
C398 电子元件及电子专用材料制造
tbQbw86
现行
T/ZZB 2332-2021
发光二极管用蓝宝石衬底抛光片
Polished sapphire substrate for LED

主要技术内容

本文件规定了发光二极管用蓝宝石衬底抛光片（以下简称蓝宝石衬底片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及质量承诺。本文件适用于氮化镓基发光二极管（LED）外延生长的，直径为 100 mm 的蓝宝石衬底片。

起草单位

浙江博蓝特半导体科技股份有限公司、金华博蓝特电子材料有限公司、云南蓝晶科技股份限公司、浙江水晶光电科技股份限公司

起草人

徐良、余雅俊、刘建哲、陈素春、占俊杰、余能超、张钟、吴振潇、许维炜、徐浩童

相似标准推荐

国家标准
GB/T 24576-2009 现行
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
发布日期2009-10-30
实施日期2010-06-01
CCS分类H80
ICS分类29.045
国家标准
GB/T 37053-2018 现行
氮化镓外延片及衬底片通用规范
General specification for epitaxial wafers and substrates based on gallium nitride
发布日期2018-12-28
实施日期2019-07-01
CCS分类H83
ICS分类29.045
国家标准
GB/T 43662-2024 现行
蓝宝石图形化衬底片
Patterned sapphire substrate
发布日期2024-03-15
实施日期2024-10-01
CCS分类H83
ICS分类29.045
行业标准
SJ/T 11865-2022 现行
功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底
发布日期2022-10-20
实施日期2023-01-01
CCS分类H83
ICS分类29.045
行业标准
SJ/T 11868-2022 现行
硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范
发布日期2022-10-20
实施日期2023-01-01
CCS分类L53
ICS分类31.08
行业标准
YS/T 839-2012 现行
硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
发布日期2012-11-07
实施日期2013-03-01
CCS分类H68
ICS分类77.120.99
地方标准
DB32/T 4378-2022 现行
衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜 方块电阻的无损测试 四探针法
发布日期2022-10-23
实施日期2022-11-23
CCS分类B61
ICS分类65.020.40
国家标准
GB/T 30858-2014 现行
蓝宝石单晶衬底抛光片
Polished mono-crystalline sapphire substrate product
发布日期2014-07-24
实施日期2015-04-01
CCS分类H83
ICS分类29.045
国家标准
GB/T 32189-2015 现行
氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope
发布日期2015-12-10
实施日期2016-11-01
CCS分类H21
ICS分类77.040
国家标准
GB/T 31353-2014 现行
蓝宝石衬底片弯曲度测试方法
Test methods for bow of sapphire substrates
发布日期2014-12-31
实施日期2015-09-01
CCS分类H21
ICS分类77.040.99
国家标准
GB/T 47089-2026 即将实施
蓝宝石图形化衬底表面图形几何参数的测定方法
Test method for determining geometrical parameters of patterns on patterned sapphire substrate
发布日期2026-01-28
实施日期2026-08-01
CCS分类H17
ICS分类77.040
国家标准
GB/T 32188-2015 现行
氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
The method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate
发布日期2015-12-10
实施日期2016-11-01
CCS分类H21
ICS分类77.040
国家标准
GB/T 41751-2022 现行
氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
发布日期2022-10-14
实施日期2023-02-01
CCS分类H21
ICS分类77.040
国家标准
GB/T 30856-2025 现行
LED外延芯片用砷化镓衬底
GaAs substrates for LED epitaxial chips
发布日期2025-08-01
实施日期2026-02-01
CCS分类H83
ICS分类29.045
国家标准
GB/T 30855-2014 现行
LED外延芯片用磷化镓衬底
GaP substrates for LED epitaxial chips
发布日期2014-07-24
实施日期2015-04-01
CCS分类H83
ICS分类29.045
国家标准
GB/T 36705-2018 现行
氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法
Test method for carrier concentration of gallium nitride substrates—Raman spectrum method
发布日期2018-09-17
实施日期2019-06-01
CCS分类H21
ICS分类77.040
T/CASAS 014-2021 现行
碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法
Measuring method for basal plane bending of SiC substrate — High resolution X-ray diffractometry
发布日期2021-11-01
实施日期2021-12-01
CCS分类
ICS分类31-030
行业标准
SJ/T 11867-2022 现行
硅衬底蓝光小功率发光二极管详细规范
发布日期2022-10-20
实施日期2023-01-01
CCS分类L53
ICS分类31.08
国家标准
GB/T 24580-2009 现行
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
发布日期2009-10-30
实施日期2010-06-01
CCS分类H80
ICS分类29.045
T/CASAS 025-2023 现行
8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸
8-inch silicon carbide wafer reference marking and dimensions
发布日期2023-06-19
实施日期2023-06-19
CCS分类
ICS分类31-030
行业标准
SJ/T 11864-2022 现行
半绝缘型碳化硅单晶衬底
发布日期2022-10-20
实施日期2023-01-01
CCS分类H83
ICS分类29.045
行业标准
SJ/T 11869-2022 现行
硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范
发布日期2022-10-20
实施日期2023-01-01
CCS分类L53
ICS分类31.08
国家标准
GB/T 30861-2014 现行
太阳能电池用锗衬底片
Germanium substrate for solar cell
发布日期2014-07-24
实施日期2015-04-01
CCS分类H82
ICS分类29.045
T/WSJD 18.13-2021 现行
工作场所空气中化学因素测定 氢醌、间苯二酚、邻苯二酚、对硝基苯酚和 2,4-二硝基苯酚的高效液相色谱法
发布日期2021-09-14
实施日期2021-10-01
CCS分类
ICS分类13.100